ترانزیستور NE3210S01-T1B یک ترانزیستور پتیمورفیک FET است که برای اتصال ما بین Si-doped AIGaAs و Undoped InGaAS برای ساخت الکترون هایی با تحرک بسیار زیاد بکار میرود.
این دستگاه دارای گیت هایی شبیه به دمباله های قارچی است که به منظور کاهش مقاومت در ورودی گیت و بهبود توان حرکتی طراحی شده است. شکل فوق العاده کم سر و صدا و افزایش دست آوردهای آن این ترانزیستور را برای DBS و سیستم های تجاری بسیار مناسب می سازد.
تضمین کیفیت و تست های دقیق شرکت NEC دلیلی است برای بالاترین قابلیت اطمینان و عملکرد این ترانزیستور.
http://digikapart.ir/shop/fa-26/NE3210S01-T1B
Manufacturer:NEC
Product Category:RF JFET Transistors
Technology:GaAs
Transistor Polarity:N-Chael
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:4 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 3 V
Id - Continuous Drain Current:10 mA
Pd - Power Dissipation:165 mW
Package / Case:SO-1-4